供应高温实验炉

CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。                     
	技术指标：
设  备 型 号	NT-CVD(G)-08/50/1

温区较高温度  	1650℃；(较长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (较长恒温时间：≥100小时)  

加热有效容积	Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm  
炉管实际尺寸	  Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管）
炉 膛 材  料  	氧化铝纤维制品

控制温区点数	1个，1支B分度热偶
设备温场温差	±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)
加 热  元 件		    优质硅钼棒

较大加热功率  	  12Kw